报告期内，公司共实现营业收入181,094.68万元，较去年同期增长19.87%；其中主营业务收入180,490.72万元，较去年同期增长19.78%；归属于上市公司股东的净利润43,518.10万元，较去年同期增长4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为50,352.54万元，较去年同期增长20.45%。
2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用市场需求下行，光伏和储能、新能源汽车等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，积极提升产能规模并扩大产品供应，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能、数据中心等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力。
产品结构方面：2022年以来，公司进一步加大了IGBT、SGT-MOSFET和SJ-MOSFET产品的销售投入，从结果来看：
（1）IGBT产品作为光伏、储能行业的重点应用产品，公司持续加大芯片及封装全方位的资源投入，2022年实现销售收入40,299.03万元，比去年同期增长了398.23%，销售占比从去年同期的5.37%提升到22.33%，预计2023年公司IGBT产品的销售将继续加速放量；
（2）SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，其中有较多料号近年来进入汽车电子领域并持续放量，2022年实现销售收入68,059.05万元，相比去年同期增长了15.21%；销售占比从去年同期的39.20%减少至37.71%；
（3）SJ-MOSFET产品方面，公司持续加大数据中心、汽车OBC、充电桩、微型逆变器等下游应用领域的开拓，2022年实现销售收入21,297.89万元，相比去年同期增长了38.41%；其销售占比从去年同期的10.21%提升至11.80%；
（4）Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台，报告期内公司结合市场情况减少了其销售规模，销售占比从去年同期的45.14%降低至27.72%。
市场结构和客户结构方面：公司2022年度进一步降低了智能短距离交通应用以及部分消费电子应用的市场份额，积极发展汽车电子、光伏和储能、数据中心及通信、工业自动化等中高端行业应用。
汽车电子方面：2022年公司与比亚迪002594）继续扩大合作规模，目前已经实现近三十款产品的大批量供应。同时，公司对理想、蔚来、小鹏、极氪、上汽、吉利、长城、奇瑞、江淮、五菱等十余家车企的出货规模稳步提升，且已经正式通过多家汽车客户的VDA6.3审核。2022年度公司应用于汽车电子的相关产品销售额同比增长超700%。
已批量供应的车规级产品涉及到车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、辅助驾驶域等多个领域应用，并深入到主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统，产品交付数量已超过60款且持续增加，产品交付至今无任何异常反馈。此外，公司正与联合电子等多个国际化汽车客户进行产品导入，部分产品已经通过了DV验证，进入小批量PV验证阶段。公司目标成为汽车市场出货品种最多，出货数量最大的本土品牌功率器件设计公司。
光伏储能方面：公司积极抓住快速增长的市场需求，重点发力光伏储能市场，产品性能已达到国际厂商主流竞品水平，成功导入并大量供应国内的Top10光伏企业，持续提升与阳光电源300274）、固德威、德业股份605117）、上能电气300827）、锦浪科技300763）、正泰电源、昱能科技等头部企业的合作规模，并根据行业特色要求以及未来市场需求，与部分客户签订了保供协议。公司所生产的光伏用IGBT产品全部基于8寸与12寸平台，已成为多家龙头客户单管IGBT第一大国产供应商。同时，公司推出全球首款1200V100A光伏用单管IGBT，未来将陆续推出1200V150A等更多大电流的单管系列产品，并进一步加快客户端验证，实现对功率模块的部分替代，从而保证公司IGBT器件产品在该领域的领先地位。
此外，公司积极推动IGBT模块产品的研发与生产，基于650V和1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估可在2023年4月完成并向客户送样；同时预计在2023年Q3实现IGBT模块产品的量产。公司在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，积极发展IGBT模块产品，以尽快成为光伏储能领域的国产IGBT模块的第一品牌。
（1）使用第七代微沟槽场截止技术的650VIGBT已经逐步量产，产品电流密度提升至550A/cm2，较上一代产品提升27%，栅极电荷下降50%以上；
（2）使用第七代微沟槽场截止技术的1200VIGBT产品已突破主要技术难关，采用创新的载流子存储设计理论和制备工艺，饱和压降降低10%以上；
（3）使用第七代微沟槽场截止技术的650V逆导型IGBT（RC-IGBT）产品样品已完成器件可靠性考核并通过客户应用测试；
（4）面向于光伏逆变应用的业界电流最大的1200VTO-247pus封装单管产品1200V150AIGBT已经完成设计与工艺固化，该产品推出后将全面适用于中功率光伏逆变装置并替换部分IGBT模块产品；
（5）光伏模块用650V和1200V大电流IGBT芯片，采用了最新第七代微沟槽场截止技术、载流子存储技术、多梯度背面缓冲层技术，正在进行工程流片，预计2023年Q2完成开发和样品送样，包括1200V/800A、650V/450A、1200V/600A等模块产品。
（6）独创设计的具有正温度系数的高性能快恢复二极管（FRD）芯片已经完成工程开发，产品电学参数和温度特性显著优于市场同规格普通快恢复二极管，该产品匹配搭载公司第七代IGBT大电流芯片，单管产品与模块产品将聚焦适用于光伏储能、充电桩、OBC和新能源汽车等领域。
（1）深沟槽工艺第四代沟槽栅超结MOS（SJ–MOS）系列产品已率先在8英寸和12英寸平台同步量产，电压覆盖500V~700V，导通电阻覆盖2欧姆(Ω)~10毫欧姆(mΩ)，以600V产品为例：其特征导通电阻（Rsp）可以低至1.10欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，相较于同平台最优竞品小10%以上，栅极电荷（Qg）较同规格最优竞品降低20%以上，器件核心综合性能优值（FOM）较同规格最优竞品降低达25%。
（2）第四代沟槽栅SJ-MOS平台开发了集成超快恢复体二极管系列大电流产品，并已经在多家头部OBC、充电桩、服务器电源等客户批量使用。
（3）业内首家采用深沟槽工艺的200V~300V低压SJ-MOS产品平台开发完成，代表产品已通过可靠性考核，以200V产品为例，其特征导通电阻（Rsp）可以低至150毫欧姆每平方毫米(mΩ.mm2)，相较于同电压规格屏蔽栅MOS（SGTMOS）产品小25%以上。
（4）为满足新能源变电与储存、新能源汽车、数据中心等行业的未来下一代产品对电能转换效率和长期可靠性寿命的更高要求，公司提前布局研发具有超低特征导通电阻的第五代SJ–MOS平台技术，已经突破多项技术瓶颈，完成样品开发与试制，产品漏源击穿电压(BVdss)和特征导通电阻达到预期目标，且产品特征导通电阻已达到功率半导体国际龙头企业最新产品技术水平，目标2023年完成该平台良率优化等量产准备工作。
（1）国内首款针对5G通讯电源及大功率可靠性工业电源开发的P150VSGTMOS平台进入风险量产阶段，特征导通电阻（Rsp）业界领先，可靠性达到工业级要求；
（2）针对车规应用的P60VSGTMOS平台正在工程流片中，目标参数性能达到业界领先，可靠性达到车规级；
（3）达到业界领先水平的超小元胞尺寸、超高元胞密度N25V、N30V、N40V第三代SGTMOS平台已完成MPW流片，工艺流程基本固化，目前进入产品版开发阶段；
（4）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS正在工程开发中；
（5）基于12寸平台，达到业界领先水平的低品质因子、高鲁棒性N100V、N85V第三代SGTMOS已完成MPW首批流片，并取得阶段性进展。
（1）在8英寸芯片产线上基本完成了高可靠性的新型结构P60V~150V产品设计和工艺定型；
（3）在12英寸芯片产线V工艺条件使产品Rsp达到国内先进水平同时推出系列产品。
汽车电子方面：SGTMOS与TrenchMOS平台、650VSJMOS平台、1200VIGBT平台中的P20V、P30V、P40V、P60V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N150V器件，合计近80款典型产品基于APQP开发流程，通过了AEC-Q101车规可靠性考核，完成了PPAP，并且已大批量交付近30家Tier1厂商及终端车企，各平台系列车规型号产品也在持续扩充增量中，产品已广泛应用于域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等多个汽车细分应用中。公司建立并基于IATF16949汽车质量管理体系对整个产品过程进行管理，在客户需求的基础上，通过内部的管理过程包括COP（顾客导向过程）：接收到客户需求及特殊要求，运用APQP、PPAP、DFMEA等工具形成供应链达到产品的实现以及持续的客户服务，管理过程MP例如：管理评审、经营计划及各方面资源配置与数据分析等，以及支持过程SP：运用VDA6.3VDA6.5对产品的过程及成品进行验证、遵循ACE-Q101进行产品的可靠性测试、文件及人力资源的支持、车规设备的认证以及预见性维护和保养等保证产品的保证，通过管控这些过程来保证整个产品实现过程的有效进行，更好的了解客户需求及提高客户满意度，致力于向汽车客户提供零缺陷产品。
第三代半导体功率器件平台：公司已开发完成1200V32mohm/62mohm新能源汽车OBC、光伏储能用SiCMOS，突破SiCMOS栅氧化层可靠性技术、动态阈值/动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等，申请专利2项，授权发明专利2项，相关产品通过可靠性考核，产品性能达到国际先进水平，客户测试评估初步通过，产品进入小批量试产阶段；650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。
功率IC产品平台：公司控股国硅集成电路技术（无锡）有限公司，产品系列得到进一步完善。目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品18款，适用于光伏MPPT应用；量产40V桥式驱动系列产品4款，适用于中小功率风机；量产250V半桥驱动芯片6款，适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片3款，适用于储能、工业控制等应用。相关产品已经在光伏&储能、工控、电池化成设备、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2022年国硅集成累计完成工程批验证250V、700V半桥驱动芯片18款，预计2023年二季度实现量产销售。此外，国硅集成正在积极推进用于汽车电子领域的隔离驱动IC产品和SmartMOS产品的研发，预计2023年底可以实现出样，相关产品国产替代空间巨大，将成为公司业绩增长的新亮点。
报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才，截至2022年末，公司的研发人员已达106人，并持续引入高学历人才，以进一步加强汽车电子和半导体功率模块产品的开发力度。
报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2022年以来，随着新能源汽车、光伏储能行业迎来新机遇，公司相应产品的产能持续紧张，公司的运营部门积极协调产能，确保公司供应链稳定供货。同时，公司从芯片代工、封装测试各个环节都做好产销衔接及产能调配工作，与各主要供应商继续保持良好合作关系，为后续进一步加强合作提供了供应保障。
（1）公司涵盖了华虹宏力、华润上华等国内主要的具备MOSFET、IGBT等大尺寸晶圆芯片代工能力的本土芯片代工供应商；尤其是华虹宏力，公司与其建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均批量投产。公司已成为国内8英寸、12英寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，且整体产能持续增长；
（2）功率IC产品，公司已与各代工厂建立了良好合作关系，并实现批量投产；
（3）为满足IGBT合封需求，公司积极开发新的FRD芯片代工资源，协调FRD供应商增加更多产能，FRD回货数量同比2021年增加约230%；
（1）受市场景气度变化影响，普通消费类产品封装数量与2021年相比略有下降，但是IGBT、汽车电子应用的MOSFET产品提升较快。公司与日月光、成都集佳等签订了IGBT封测产能协议，确保IGBT产品的产能供应；
（2）汽车电子产品方面，公司同时开发了日月光、成都集佳、长电科技600584）等多家具备车规供应能力的封测厂，完成多个产品封装形式的规模量产，并已在更多合作厂商跑完工程批验证，以进一步扩大车规产品的规模；
（3）功率IC产品，公司均已开发了相应的封装与测试外协厂，以实现功率IC产品的快速放量；
（4）子公司电基集成TO-247、TO-247PLUS封装生产线顺利通线封装生产线的扩产，导入多个汽车产品，为进一步大规模量产做好充分支持。
（5）子公司金兰半导体的第一条IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成。
公司的全资子公司电基集成，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品。从设立之初，电基集成就特别注重车规级封测产线的建设与管理，并顺利通过SGSIATF16949体系认证。
2022年电基集成实现收入8,106.14万元，较上年同期增长约8.85%。用于无人机和车载辅助系统的PDFN5x6FuCip封装形式继续扩大生产规模，规划产能增加到原来的三倍，目前正在试做样品电镀；适用于高电流汽车应用，包括电池管理、电子动力转向（EPS）、主动式交流发电机等系统的TOLL封装继续增加产能和产量；用于光伏和储能的TO-247和TO-247P新封装形式顺利量产并完成了TO-247的扩产；新增SOP-8封装，目前设备已交付，样品验证准备中；新增PDFN3.3X3.3封装，目前设计已完，正在LF&Cip比价以及塑封方案评估中；同时，新封装sTOLL以及TO247/P-4L均已在Benchmark中。
2022年度电基集成实现了更多汽车电子产品品种的封测，并进行了相关体系的进一步规范和完善。
2021年11月，公司发起设立子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
目前金兰半导体已建立起一支完整的熟练掌握产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队多数成员有数十年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，并拥有良好的生产品质管理经验。金兰半导体的第一条IGBT模块封装测试生产线已经基本购建完成，所选用的机器设备均为近两年国际先进且技术成熟的封装测试设备。
基于650V和1200V平台的相关模块产品开发进展顺利，主要应用于光伏逆变、储能等行业，预计部分产品的验证评估将于近期完成并向客户送样；同时预计在2023年Q3实现IGBT模块产品的量产。
公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自公司实现对国硅集成的控股以来，国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
2022年度，国硅集成入选江苏省“双创人才”，完成江苏省第一批科技型中小企业评审认定和江苏省民营科技企业的评审认定。
公司与国硅集成联合开发结合MOSFET创新、封装创新、IC创新的智能功率集成产品，以提高公司产品的整体领先性与综合技术门槛，增强公司的核心竞争力，进一步满足高端客户的创新需求，为终端客户提供包含IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、SGTMOSFET、超结MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案。
2022年度，公司继续不断完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。
公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极地横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
2022年度，根据公司发展战略规划以及金兰半导体的生产经营需要，公司向金兰半导体追加投资5,000万元，并为金兰半导体引入相关战略投资者。此外，公司向国硅集成进行增资，持股比例从5%增加至52.50%，实现对国硅集成的控股。
2022年第四季度，公司参股常州臻晶半导体有限公司并持有其11.11%的股权（现持股10.55%）。常州臻晶是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售的企业，本次公司投资常州臻晶，主要系公司围绕整体发展战略，在化合物半导体领域实现外延式扩张，通过对产业链的纵向布局以及资源整合，加强公司在碳化硅等化合物半导体领域的话语权以及核心竞争力，从而把握未来、实现更高成长。
2022年8月，公司完成了上市后非公开发行的相关工作，实际募集资金净额14.01亿元，此募集资金的取得，将促使公司的进一步加速发展。
2022年四季度，公司进行了对员工首次限制性股票激励计划预留部分的授予，激励了更多的人员，覆盖了公司及子公司的新进骨干成员，有效加强了相关员工对公司的忠诚度以及工作积极性。
荣获中国半导体行业协会颁布的“2021年中国半导体功率器件十强企业”荣誉称号；
根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
根据Omida数据显示，2022年全球功率半导体市场规模将达481亿美元，预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；2022年中国功率半导体市场规模将达191亿美元，预计2024年市场规模将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
市场研究机构ICInsights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块；主要的半导体功率器件（MOSFET和IGBT）的市场需求规模如下：
MOSFET：因各产业对各种电压范围的MOSFET皆有大量需求，根据Yoe2021年的统计和预测数据显示，MOSFET市场规模将从2020年的75亿美元增长至2026年的94亿美元，年复合增长率达到3.8%。而根据中金企信统计数据，预计2023年中国MOSFET市场整体规模达到420.2亿元，2020年-2023年年均复合增长率达到9.22%。
IGBT：从IGBT市场空间来看，2021年全球IGBT（分立+模块）市场规模约57亿美元，国内IGBT市场约为22.43亿美元，国内市场规模占全球比约为40%。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模2024年预计达到66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模2024年预计达到25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。近两年，由于新能源汽车、光伏和储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，已构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出SiCMOSFET、GaNHEMT、半导体功率模块、智能功率IC等新产品。公司的产品先进且系列齐全，目前产品型号达2000款，电压覆盖12V~1700V全系列，是国内MOSFET和IGBT器件品类最齐全且产品技术领先的公司，重点应用领域包括汽车电子和充电桩、光伏和储能、数据中心、5G通讯、工业电源、机器人、安防、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个行业。
公司的芯片产品主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；同时子公司金兰半导体目前已经建成先进功率模块生产线，并陆续推出功率模块新产品，以进一步满足光伏和储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业，在中国半导体行业协会发布的中国半导体功率器件企业排行榜中，2016年以来公司连续多年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司，也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的公司。同时，公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企业。根据Omdia统计数据，2021年国内MOSFET市场销售额排名中，含英飞凌、安森美等国际厂商在内公司排名第5，其中在设计领域公司名列第一。
自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。
此外，公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文18篇，其中SCI收录论文11篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的量产，并新增开发多款模块产品及功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，逐步实现对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。
公司主要产品为IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET等半导体芯片和功率器件，已拥有覆盖12V~1700V电压范围、0.1A~450A电流范围的多系列细分型号产品，是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术领先的设计企业。在IGBT领域，公司产品品类进一步丰富，除应用于光伏储能等领域的单管产品外，IGBT模块也在开发和逐步量产中。公司通过构建主要产品工艺技术平台，衍生开发细分型号产品，并持续升级产品工艺平台，形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，满足下游多个领域的需求，最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前，公司已拥有2000款的细分型号产品，能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。
公司拥有完善的产品质量管控体系，针对产品进行全流程质量管控，产品性能优良、质量稳定、一致性高。公司建立了严格的供应商选择机制，供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华等领先的芯片代工企业，封装测试主要采购子公司电基集成、长电科技（600584）、日月光（、捷敏电子等封装测试企业的服务，强劲稳定的供应链保证公司产品的品质与可靠性。公司通过了ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949体系的认证；同时，公司的“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品，多款产品通过AEC-Q101车规级认证。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
产业链协作对于半导体功率器件研发设计企业十分重要。IGBT、MOSFET相比于其他半导体功率器件具有较为优异或差异化的性能特征，因此，IGBT、MOSFET的器件结构、参数性能需在更为严苛的工艺端才能实现或达到最优状态，这使得IGBT、MOSFET主要基于8英寸以及12英寸芯片工艺平台进行流片，而且往往需要在具备先进封装测试工艺的厂商进行封测代工。
公司目前是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，并与产业链中多数优秀供应商已形成了相互依存、共同发展的紧密合作关系，且通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的封测技术和产品，同时子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线，形成了公司较为突出的产业链协作优势。
国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型场截止IGBT等产品已成为公司的主力销售产品，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代，体现了较强的进口替代优势。
公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护，建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入汽车电子和充电桩、光伏逆变和光伏储能等多个下游细分领域，且已为下游行业内多家龙头客户供货，并依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
公司一直重视人才培养和团队建设，人才结构长期稳定，已经培养了一批具备较强的研发能力的高素质技术团队和丰富的市场实战经验和营销能力的销售团队。以董事长兼总经理朱袁正先生为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸和12英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司销售团队市场经验丰富，不仅掌握和熟悉公司产品性能参数，还能够理解和解决客户端在应用中经常出现的问题，同时能够协调和帮助客户与公司进行有效沟通；不仅掌握销售技巧快速实现公司的产品销售，还能够对客户回款的及时性、安全性担负起相应责任。
公司不断加强人才管理，针对核心人才实施了包括股权激励在内的多种激励和约束机制，能够顺应公司的战略发展方向和保障公司战略方针的有效执行。
报告期内，公司共实现营业收入181,094.68万元，较去年同期增长19.87%；其中主营业务收入180,490.72万元，较去年同期增长19.78%；归属于上市公司股东的净利润43,518.10万元，较去年同期增长4.51%；扣除股份支付影响后的净利润为50,352.54万元，较去年同期增长20.45%。业绩变化的主要原因系：2022年度，公司下游应用市场的景气度呈现分化状态，消费电子应用需求相对减弱，光伏和储能、汽车电子等新兴应用需求持续旺盛，国产替代进程进一步加速，公司利用技术和产品优势、产业链优势等，积极调整产品结构、市场结构和客户结构，加大加快相应产品供给，将产品导入并大量销售至汽车电子、光伏和储能等相关领域客户，并持续开发出更多的行业龙头客户，进一步扩大了公司的高端市场应用规模及影响力，最终实现经营规模和经济效益的稳定增长。六、公司关于公司未来发展的讨论与分析
分立器件行业是半导体产业中一个重要分支。据国家统计局规模以上工业统计数据显示，近几年来，分立器件行业规模以上企业主营业务收入占半导体行业规模以上企业主营业务收入的比重维持在22%-25%之间。
半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分。据中国半导体行业协会统计，半导体功率器件是带动中国半导体分立器件市场加速增长的主要动力。半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等电子产业。此外，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等新兴应用领域逐渐成为半导体功率器件的重要应用市场，从而推动其需求增长。
根据Omida数据显示，2022年全球功率半导体市场规模将达481亿美元，预计2024年市场规模将达到532.19亿美元；2022年中国功率半导体市场规模将达191亿美元，预计2024年市场规模将达到195.22亿美元，占全球市场约为36.68%，中国作为全球最大的功率半导体消费国，未来市场发展前景良好。
市场研究机构ICInsights指出在各类半导体功率器件组件中，未来增长最强劲的产品将是MOSFET与IGBT模块；主要的半导体功率器件（MOSFET和IGBT）的市场需求规模如下：
MOSFET：因各产业对各种电压范围的MOSFET皆有大量需求，根据Yole2021年的统计和预测数据显示，MOSFET市场规模将从2020年的75亿美元增长至2026年的94亿美元，年复合增长率达到3.8%。而根据中金企信统计数据，预计2023年中国MOSFET市场整体规模达到420.2亿元，2020年-2023年年均复合增长率达到9.22%。
IGBT：从IGBT市场空间来看，2021年全球IGBT（分立+模块）市场规模约57亿美元，国内IGBT市场约为22.43亿美元，国内市场规模占全球比约为40%。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模2024年预计达到66.19亿美元，2020-2024年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模2024年预计达到25.76亿美元，2020-2024年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。近两年，由于新能源汽车、光伏和储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。
作为国内半导体功率器件领先企业，公司将依托国家对半导体等战略新兴行业发展战略支撑，专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上，公司将不断引进各类管理、技术、营销人才，构建高效、现代化的经营管理体系，进一步深化IGBT产品、拓展MOSFET产品、积极开发功率模块产品和智能功率IC产品，在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。
同时，公司将持续创新，不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率IC以及功率模块的研发及产业化，进一步强化企业核心竞争力，成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌，稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品，加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。
新的一年，公司将继续提升和巩固在IGBT和MOSFET产品领域的国内领先地位，提升半导体功率器件中高端品牌形象，不断增强在国内外先进半导体功率器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下：
（1）丰富现有系列产品规格型号，拓展市场应用领域范围。在公司目前多产品系列的基础上，公司未来将继续丰富现有产品系列规格型号，拓展公司产品的市场应用领域范围，同时加大市场开拓，加强与客户沟通，在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入，从而提升盈利能力和抗风险能力。
（2）加快产品升级换代和新产品开发，提高公司产品核心竞争力。公司将加大研发投入、加速产品升级换代，保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上的优势。同时，对于第七代微沟槽FS-IGBT产品技术、半导体功率器件集成技术等国际先进技术，公司将进一步加快其产业化、商业化进程，提升产品核心竞争力。
（3）完善研发中心建设，提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一步完善研发中心，购置国际先进半导体功率器件研发设备，配套半导体功率器件研发软件设施，提高公司在半导体功率器件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的综合能力，提升公司的研发能力和技术创新能力。
（4）加强产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国际最新半导体功率技术，提前布局下一代半导体功率器件产品，公司将进一步巩固与科研院所的产学研合作关系，利用江苏省企业研究生工作站平台和江苏省功率器件研发中心，提高半导体功率器件的研发成果转化效率，为公司的长期发展打下基础。
封装测试是半导体功率器件产业链中的关键环节之一，封装质量很大程度影响了半导体功率器件的质量和可靠性；封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。近年来，国际一流半导体功率器件厂商亦不断加大对先进封装技术研发及生产的投入。发展先进封装技术成为未来半导体功率器件行业发展趋势之一。
公司紧跟行业发展趋势，发挥自身发展竞争优势，整合自身工艺和技术积累，积极延伸半导体功率器件产业链环节，通过子公司自建半导体功率器件和功率模块先进封装测试生产线，实现对封装质量的自主把控、提高产品综合性能、降低产品的生产成本、提高产品的市场竞争力。公司进一步实现先进封装测试核心技术、产品工艺技术和生产产能的自主掌控，从而提升公司产品核心竞争力和持续发展能力。公司亦将横向延伸产品品类，发挥在MOSFET、IGBT等功率器件研发设计和封测工艺中的优势，进一步延伸并实现SiC/GaN功率器件、功率驱动IC及智能功率模块（IPM）、功率集成模块（PIM）等产品的封测工艺。
（1）全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制，大力引进行业内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才，构建一只高水平的人才队伍，开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品种类，增强公司整体研发设计和管理实力。
（2）持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入，给予内部人才宽松的发展环境，并在已有业务骨干和储备人才中通过业务培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划的持续培养选拔，全面加强人才梯队建设，为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。
（1）巩固现有客户和市场，提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务，公司产品已应用到汽车电子和充电桩、光伏和储能、数据中心、工业自动化、泛消费等众多领域，积累了丰富的市场和客户资源。公司未来将不断增强市场营销团队力量，在加强与现有重点客户的合作关系的基础上，通过多种方式拓展新市场、新客户，提高市场占有率。
（2）拓展产品应用领域，继续扩大市场份额。一方面，公司将通过丰富现有产品组合、升级换代和新产品开发等方式，满足客户需求；另一方面，公司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析，为客户提供整体解决方案，加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度，拓展公司产品的应用领域。
（3）持续加强产品宣传，保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组合的日益丰富，公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。公司将完善公司品牌建设，进一步加强市场宣传力度，拓展营销与服务网络覆盖的深度和广度，增强客户服务能力和响应速度，不断加强公司中高端半导体功率器件品牌形象。
半导体功率器件作为基础性电子元器件，下游分布极为广泛。广泛的下游应用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力，但行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大，半导体功率器件行业的市场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持稳步增长，且亚洲地区特别是中国市场规模增幅巨大，但是如果下游市场整体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化，将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。
针对上述风险，一方面，公司结合市场环境变化，进一步加大汽车电子、光伏和储能等多个不同应用市场的开拓力度，优化客户结构，积极与重点客户达成长期稳定的合作关系；另一方面，公司积极深化产品研发力度，丰富产品型号和提升产品性能，抓住功率半导体国产替代的窗口，持续实现业绩规模快速增长。
芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容，占产品成本的比重较大。芯片代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响，另一方面则受到芯片代工企业投资规模和产能影响；封测服务价格受到原材料价格和人工成本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动，而公司无法采取有力措施进行应对，则将对公司盈利能力造成不利影响。
针对上述风险，公司将进一步加强国内主要的芯片代工企业和封装测试企业间紧密的合作关系，维持采购价格的合理波动，并通过适度调整产品结构和价格、产品技术升级、寻求更多供应商支持等方式综合应对采购价格波动风险。
公司是半导体专业化垂直分工企业，芯片代工及封装测试环节主要通过向供应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华等国内少数几家具备MOSFET、IGBT等8英寸和12英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商，并不断拓展境内外的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节，公司主要与长电科技（600584）、日月光（ASX.US）、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作，一定程度上也保证了公司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。
针对上述风险，考虑到半导体行业垂直分工的特殊性，芯片设计企业与芯片代工及封装测试企业之间在一定程度上互相依赖：专注于芯片设计环节的企业在选择供应商后一般不会轻易更换；同样，芯片代工及封装测试企业如若更换客户则需重新调整产线、设备技术参数、产能排期等，这将形成较大的更换成本。因此，公司将持续拓展上游供应商渠道，同时继续稳固、加深公司与产业链上游供应商的合作关系。
公司募投项目新增设备投入和生产场地投入，未来将引致公司资产总额增长幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大，募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化，公司现有业务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标，募投项目将存在因资产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。
针对上述风险，公司已结合产业发展趋势及公司发展战略，合理选择募投项目、规划募投项目方案，募投项目新增销售收入及利润总额较高，足以抵消募投项目新增的投资项目折旧摊销费用；未来公司也将结合行业发展实际状况和募投项目前期设计方案，合理实施募投项目、提升公司整体经营业绩。
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